Al-TransTM ジンククロメート置換-アースストリップ
高周波接地： 伝導率-ジンクより50%高い
厚み： 100〜1000μ
耐食性： 5000時間以上の塩水噴霧-ASTM（米国材料試験協会）B117、 金属結合-強力付着
修理可能領域： 耐摩耗性自己回復作用
高周波接地
電子機器の接地は、モダンなコンピューター製品に用いられている低電圧高周波信号の保護を目的とするエンジニアの課題です。装置ラックや筐体を使用した通常の方法は、露出面をジンクでメッキし、さらにクロメート化成皮膜でもってジンクを保護します。この方法は、ラック母材へ向かう電流信号の帯域が低周波域に制限されている場合は問題はありませんが、高周波成分を含む場合には深刻な限界として現れます。
問題は、ジンクが優良な伝導体ではないこと、そして仮に、ジンクを保護しているクロメート皮膜が失われた場合、その表面特性の品質低下が急激に進んでしまうということです。高周波信号は伝導体の表面を飛び回り、10MHzでは表面から25μ(.001")の深さに、1GHzでは2.5μ(.0001") の深さに制限されます。ジンクの交流インピーダンスは、Al-Trans TMの多数成分であるアルミニウムより50%高くなっています。これらの低深層にて、有効な接地ループは比較的近距離で生じることができます。
KMプロセスを利用して頂くことで、Inovatiは、スチールの表面にグラウンディングを施した耐食性アルミニウムの装置ラックと筐体をご提供できます。この表面はとても優れたグラウンディング経路となり、高周波信号に低抵抗を与えます。
KMプロセスは付加的な利得があり、それは、他の化学製品を使わないシングルステッププロセスのため、コストが低いということです。そして、環境保護上安全で、有害廃棄物運搬の皆無を求めているため、製造過程におけるいかなる段階でもセットアップすることが可能です。さらに、金属間の正確な金属結合により、ジンクをメッキする際にはがれ落ちる小片の問題も回避できます。Al-Trans TM製法は、スチールに比べて反応性陽極金属であり、基盤となるスチールの防錆のため、細かいものであれば自動的にキズ埋めをします。また、持運び可能なスプレーガンでの修復もでき、大きな傷であっても問題はありません。
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